Αρχική Σελίδα   English Version


Σελίδα Μαθήματος : Μικροηλεκτρονική

Κωδικός Μαθήματος: ELE478 
Εξάμηνο: 8
  Κατεύθυνση: ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ, ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ ΚΑΙ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΣΗΜΑΤΟΣ 
  Κατηγορία: Επιλογής
  Διδακτικές Μονάδες: 3
  Μονάδες ECTS:
  Διδάσκων:   Σπυρίδων Βλάσσης  Σπυρίδων Βλάσσης- Περισσότερες Πληροφορίες
    Κωνσταντίνος Ψυχαλίνος  Κωνσταντίνος Ψυχαλίνος- Περισσότερες Πληροφορίες

Περιγραφή Μαθήματος

Επιδιωκόμενα μαθησιακά αποτελέσματα του μαθήματος

Στο τέλος αυτού του μαθήματος ο φοιτητής θα μπορεί να

  1. Αναγνωρίζει τα βασικά κυκλώματα καθρεπτών ρεύματος.
  2. Αναγνωρίζει βασικά κυκλώματα κυκλώματα παραγωγής τάσεων αναφοράς.
  3. Αναγνωρίζει τη λειτουργία βασικών τοπολογιών διαφορικού ενισχυτή.
  4. Αναγνωρίζει  κυκλώματα MOS ενισχυτών πολλαπλών σταδίων.
  5. Αναγνωρίζει την εσωτερική δομή του Τελεστικού Ενιισχυτή.
  6. Αναγνωρίζει το μηχανισμό δημιουργίας της απόκρισης συχνότητας των MOS κυκλωμάτων.

Δεξιότητες

Στο τέλος αυτού του μαθήματος ο φοιτητής θα έχει περαιτέρω αναπτύξει τις ακόλουθες δεξιότητες

  1. Ικανότητα να αναγνωρίζει τηη βασική διαδικασία φυσικής σχεδίασης (lαyout design) MOS κυκλωμάτων. 
  2. Ικανότητα να εφαρμόζει αυτή τη γνώση και κατανόηση στη λύση ποιοτικών και ποσοτικών προβλημάτων μη οικείας φύσης.
  3. Ικανότητα να υιοθετεί και να εφαρμόζει μεθοδολογία στη λύση μη οικείων προβλημάτων.
  4. Δεξιότητες μελέτης που χρειάζονται για τη συνεχή επαγγελματική ανάπτυξη.
  5. Ικανότητα να αλληλεπιδρά με άλλους σε βασικά προβλήματα ηλεκτρονικής.
  6. Εφαρμόζει τις βασικές αρχές  της λειτoυργίας των MOS κυκλωμάτων  για την ανάλυση και σύνθεση σύνθετων δομών.
  7. Ικανότητα να χρησιμοποιεί εξομοιωτές για την ανάλυση και σύνθεση ηλεκτρονικών κυκλωμάτων.

 
Προαπαιτήσεις
Δεν υπάρχουν προαπαιτούμενα μαθήματα. Οι φοιτητές πρέπει να έχουν τουλάχιστον βασική γνώση ηλεκτρονικών.
 
Περιεχόμενα (ύλη) του μαθήματος

  1. Εισαγωγή στη φυσική σχεδίαση (layout design) των MOS ολοκληρωμένων κυκλωμάτων.
  2. Κυκλώματα καθρεπτών ρεύματος
  3. Κυκλώματα παραγωγής τάσεων αναφοράς
  4. Διαφορικός MOS ενισχυτής: λειτουργία στο συνεχές και σε μικρά σήματα
  5. MOS ενισχυτές πολλών σταδίων-εσωτερική δομή Τελεστικού Ενισχυτή
  6. Απόκριση συχνότητας βασικών MOS ενισχυτών

Διδακτικές και μαθησιακές μέθοδοι
Παραδόσεις με χρήση διαφανειών ή/και παρουσιάσεις με powerpoint, φροντιστήρια με υποδειγματική επίλυση προβλημάτων σύνθεσης, επίλυση συνθετικών προβλημάτων από τους φοιτητές σε ομάδες των δύο ατόμων

Μέθοδοι αξιολόγησης/βαθμολόγησης
 Γραπτή εξέταση (100% του τελικού βαθμού)

Γλώσσα διδασκαλίας
Ελληνικά. Mπορούν όμως να γίνουν οι παραδόσεις στην αγγλική γλώσσα στην περίπτωση που αλλοδαποί φοιτητές παρακολουθούν το πρόγραμμα

Πληροφορίες σχετικά με το μάθημα μπορείτε να βρείτε στο eclass.upatras.gr/courses/PHY1920/



Προτεινόμενη Βιβλιογραφία

Ενδεικτική βιβλιογραφία :

  1. B. Razavi, “Σχεδίαση αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων CMOS”, 2019, Εκδόσεις Κλειδάριθμος, ISBN: 978-960-461-990-0.
  2. B. Razavi, “Βασικές αρχές  Μικροηλεκτρονικής», Εκδόσεις Κλειδάριθμος, Αθήνα 2018.    ISBN: 978-060-461-850-7.